退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:基于SRAM的FPGA中子引起的软错误率下的老化和电压缩放影响
Lima Kastensmidt, Fernanda; Tonfat, Jorge; Both, Thiago; Rech, Paolo; Wirth, Gilson; Reis, Ricardo; Bruguier, Florent; Benoit, Pascal; Torres, Lionel; Frost, Christopher;
机译:电压缩放和老化对基于SRAM的FPGA中软错误率的影响
机译:一种软件解决方案,用于估计在基于SRAM的FPGA上实现的系统的SEU引起的软错误率
机译:缩放对250nm至22nm设计规则中SRAM中中子感应软误差的影响
机译:基于SRAM的FPGA中实现的软核处理器的硬件和软件容错
机译:基于FPGA技术的电压源逆变器新型混合调制策略
机译:基于SRAM的FPGA中子引起的软错误率对老化和电压缩放的影响
机译:通过识别所需的电源电压来减少集成电路产生的软错误的方法
机译:在活动减少期间使用升高的SRAM电压降低SRAM阵列中软错误率的方法和装置
机译:电压相关电容器配置可提供更高的软错误率容限
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。